IGBT против GTO
GTO (тиристор с выключенным затвором) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) - это два типа полупроводниковых устройств с тремя выводами. Оба они используются для управления токами и для коммутации. Оба устройства имеют управляющий терминал, называемый «шлюз», но имеют разные принципы работы.
GTO (тиристор выключения ворот)
GTO состоит из четырех полупроводниковых слоев P-типа и N-типа, и конструкция устройства мало отличается от обычного тиристора. При анализе GTO также рассматривается как пара связанных транзисторов (один PNP, а другой в конфигурации NPN), как и для обычных тиристоров. Три вывода GTO называются «анодом», «катодом» и «затвором».
Во время работы тиристор действует как проводящий, когда на затвор подается импульс. Он имеет три режима работы, известные как «режим обратной блокировки», «режим прямой блокировки» и «режим прямой проводки». Как только затвор запускается импульсом, тиристор переходит в «режим прямой проводимости» и продолжает проводить до тех пор, пока прямой ток не станет меньше порогового «тока удержания».
В дополнение к характеристикам обычных тиристоров, состояние «выключено» GTO также можно контролировать с помощью отрицательных импульсов. В обычных тиристорах функция выключения происходит автоматически.
GTO - это силовые устройства, которые в основном используются в приложениях переменного тока.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
IGBT - это полупроводниковое устройство с тремя выводами, известными как «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Это тип транзистора, который может обрабатывать большую мощность и имеет более высокую скорость переключения, что делает его высокоэффективным. IGBT был представлен на рынке в 1980-х годах.
IGBT объединяет в себе функции MOSFET и биполярного переходного транзистора (BJT). Он управляется затвором, как MOSFET, и имеет характеристики напряжения тока, как у BJT. Следовательно, он обладает преимуществами как способности выдерживать высокие токи, так и простоты управления. Модули IGBT (состоящие из ряда устройств) выдерживают киловатты мощности.
В чем разница между IGBT и GTO?
1. Три вывода IGBT известны как эмиттер, коллектор и затвор, тогда как GTO имеет выводы, известные как анод, катод и затвор.
2. Затвор GTO требует только импульса для переключения, тогда как IGBT требует непрерывной подачи напряжения затвора.
3. IGBT - это тип транзистора, а GTO - это тип тиристора, который при анализе может рассматриваться как тесно связанная пара транзисторов.
4. IGBT имеет только одно соединение PN, а GTO - три из них.
5. Оба устройства используются в приложениях с высокой мощностью.
6. GTO нужны внешние устройства для управления импульсами выключения и включения, тогда как IGBT не нужны.
