BJT против IGBT
BJT (биполярный транзистор) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) - это два типа транзисторов, используемых для управления токами. Оба устройства имеют PN-переходы и различаются по устройству. Хотя оба являются транзисторами, они имеют существенные различия в характеристиках.
BJT (биполярный переходной транзистор)
BJT - это тип транзистора, который состоит из двух PN-переходов (переход, образованный путем соединения полупроводника p-типа и полупроводника n-типа). Эти два перехода формируются с помощью соединения трех полупроводниковых элементов в порядке PNP или NPN. Поэтому доступны два типа BJT, известные как PNP и NPN.
К этим трем полупроводниковым частям подключены три электрода, а средний вывод называется «базой». Остальные два перехода - «эмиттер» и «коллектор».
В BJT ток большого коллектора-эмиттера (I c) управляется малым током эмиттера базы (I B), и это свойство используется для разработки усилителей или переключателей. Следовательно, его можно рассматривать как устройство с приводом от тока. BJT в основном используется в схемах усилителей.
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
IGBT - это полупроводниковое устройство с тремя выводами, известными как «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Это тип транзистора, который может обрабатывать большую мощность и имеет более высокую скорость переключения, что делает его высокоэффективным. IGBT был представлен на рынке в 1980-х годах.
IGBT имеет комбинированные функции как MOSFET, так и биполярного переходного транзистора (BJT). Он управляется затвором, как MOSFET, и имеет характеристики напряжения тока, как у BJT. Следовательно, он обладает преимуществами как способности выдерживать высокие токи, так и простоты управления. Модули IGBT (состоящие из ряда устройств) выдерживают киловатты мощности.
Разница между BJT и IGBT
1. BJT - это устройство, управляемое током, тогда как IGBT управляется напряжением затвора.
2. Клеммы IGBT известны как эмиттер, коллектор и затвор, тогда как BJT состоит из эмиттера, коллектора и базы.
3. IGBT лучше по мощности, чем BJT.
4. IGBT можно рассматривать как комбинацию BJT и FET (полевого транзистора).
5. IGBT имеет сложную структуру устройства по сравнению с BJT.
6. BJT имеет долгую историю по сравнению с IGBT.
